RAM-Vergleich Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Gesamtnote

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

43 45

Rund um 4% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

12 10.6

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

7.8 6.9

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1647 1939

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns