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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
45
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
43
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
12.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.9
7.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1647
1939
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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