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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

総合得点
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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

総合得点
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    43 left arrow 45
    周辺 4% 低遅延
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.8 left arrow 6.9
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 45
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 12.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.9 left arrow 7.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1647 left arrow 1939

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