RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Porównaj
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
45
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
6.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
43
45
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.9
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1647
1939
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link