RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
74
Около 64% меньшая задержка
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
74
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
14.9
Скорость записи, Гб/сек
8.4
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
1925
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Inmos + 256MB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link