RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
15.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2488
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link