RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
50
Около 46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
50
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
10.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2393
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link