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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
50
左右 46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
50
读取速度,GB/s
13.8
10.6
写入速度,GB/s
8.4
8.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2393
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
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