RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
50
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
50
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2393
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link