PNY Electronics PNY 2GB против Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB

-->

Средняя оценка

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка

Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB

Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PNY Electronics PNY 2GB

Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 53

Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.8 10.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.4 8.1

Среднее значение в тестах

Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB

Причины выбрать
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

PNY Electronics PNY 2GB

Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 53
Скорость чтения, Гб/сек

13.8 10.3
Скорость записи, Гб/сек

8.4 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2274 2333

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

модули RAM

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB

модули RAM

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB

модули RAM