PNY Electronics PNY 2GB против SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB

-->

Средняя оценка

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB

SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PNY Electronics PNY 2GB

Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 32

Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.8 10.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.4 8.3

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

PNY Electronics PNY 2GB

SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 32
Скорость чтения, Гб/сек

13.8 10.8
Скорость записи, Гб/сек

8.4 8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2274 2318

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB

SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Kingston X74R9W-MIE 8GB

Kingston X74R9W-MIE 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB

Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Kingston 9965604-001.D00G 16GB

Kingston 9965604-001.D00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70QH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70QH0-CK0 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB

Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston XCCT36-MIE 16GB

Kingston XCCT36-MIE 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Kingston 9905734-022.A00G 16GB

Kingston 9905734-022.A00G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB

Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB

модули RAM