RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
18.1
Скорость записи, Гб/сек
10.0
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2753
3693
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link