RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB против Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
43
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.3
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2285
2962
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link