RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
38
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
37
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2316
3075
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link