RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.5
17.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1932
3260
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link