RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.5
17.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1932
3260
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link