RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.1
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3409
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link