RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
6.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
11.7
Скорость записи, Гб/сек
10.1
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1832
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link