RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
6.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
11.7
Скорость записи, Гб/сек
10.1
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1832
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link