RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
11
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
11.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2271
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link