Samsung 1600 CL10 Series 8GB против SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 32

Около 22% меньшая задержка

SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.8 16.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.1 10.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 32
Скорость чтения, Гб/сек

16.1 16.8
Скорость записи, Гб/сек

10.1 12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2764 2641

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB

Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB

Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB

Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB

Kingston KY7N41-MID 8GB

Kingston KY7N41-MID 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB

Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

UMAX Technology 16GB

UMAX Technology 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB

Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB

модули RAM