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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
16.1
16.8
写入速度,GB/s
10.1
12.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2641
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
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