RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
59
Около -146% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2852
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link