RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
59
Около -146% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2852
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link