RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
59
Por volta de -146% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
12.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2852
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link