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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
59
En -146% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2852
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
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