RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
69
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
37
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3170
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link