RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
69
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
37
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3170
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link