RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
58
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
40
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
2340
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link