RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
46
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.7
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
38
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.2
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2429
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link