RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
14.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
46
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
3200
Intorno 6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
38
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
19200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2429
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link