RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
46
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.6
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
20
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
18.9
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3022
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link