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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
46
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.6
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
20
读取速度,GB/s
2,909.8
18.9
写入速度,GB/s
1,519.2
14.6
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3022
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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