RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
86
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
5.7
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
86
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
12.1
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
5.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
1220
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link