RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Kingston 9905622-058.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2801
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link