RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Kingston 9905622-058.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2801
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Qimonda ITC 1GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link