RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
3200
Около 8 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
25600
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3026
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link