RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
50
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
3200
Около 8 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
50
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
25600
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2512
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link