RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
50
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
3200
Wokół strony 8 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
50
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
25600
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2512
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Team Group Inc. 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link