RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
21
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
60
Около -140% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
21.0
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
19.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
4129
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link