RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
21
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
60
Около -140% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
21.0
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
19.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
4129
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link