Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Средняя оценка

Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB

Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 11.1

Среднее значение в тестах

Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB

Причины выбрать
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

47 60

Около -28% меньшая задержка
Выше скорость записи

7.9 2,168.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

60 47
Скорость чтения, Гб/сек

4,595.2 11.1
Скорость записи, Гб/сек

2,168.2 7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

941 1967

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Kingston 9965604-033.D00G 16GB

Kingston 9965604-033.D00G 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB

Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905630-066.A00G 16GB

Kingston 9905630-066.A00G 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB

Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

модули RAM

Crucial Technology ST25664BA1339.8FMR 2GB

Crucial Technology ST25664BA1339.8FMR 2GB

A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB

Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB

Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N

модули RAM

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

модули RAM