RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около -124% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
2974
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link