RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
65
Около -81% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
2696
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link