RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сравнить
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
52
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.8
1,906.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,672.4
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,906.4
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
698
3564
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link