RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
14.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
77
Около -267% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
21
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
18.6
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3356
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Сравнения RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link