RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
77
Около -166% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3273
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link