RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
77
Около -148% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
20.6
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3367
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link