RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3367
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link