RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
77
Около -148% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
14.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2658
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
INTENSO 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link