RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
77
Около -148% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.9
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3755
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link