RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3755
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link