Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 15.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,622.0 12.5

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 77

Около -208% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 25
Скорость чтения, Гб/сек

3,405.2 15.4
Скорость записи, Гб/сек

2,622.0 12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

763 2481

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266

модули RAM

Kingston HX316C10F/8 8GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Kingston 9905630-033.A00G 16GB

Kingston 9905630-033.A00G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Maxsun MSD48G32Q3 8GB

Maxsun MSD48G32Q3 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB

Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB

Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB

модули RAM