RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
77
Около -208% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2481
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link