RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
77
Wokół strony -208% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2481
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Corsair CMD8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.D8F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
AMD AP34G1608U1K 2GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link