RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
12.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
77
Intorno -208% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
25
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2481
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link