RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
77
Около -221% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
19.9
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3779
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-6000J4040F16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link