RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3779
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link